Transistor D1047 Datasheet

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Qui sotto riporto le caratteristiche piu’ importanti del transistor D1047.

D1047 è un High power NPN epitaxial planar bipolar.

Caratteristiche Principali:

High breakdown voltage VCEO = 140 V;

Typical ft = 20 MHz;

Fully characterized at 125.

VCBO Collector-base voltage (IE = 0) 200V;

VCEO Collector-emitter voltage (IB = 0) 140V;

VEBO Emitter-base voltage (IC = 0) 6V;

IC Collector current 12 A;

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