Datasheet Mosfet k10a60d

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K10A60D è un Mos a Canale N e qui sotto trovi tutte le caratteristiche di questo Transistor.

–VDSS Drain-source voltage = 600 V;

–VDGR Drain-gate voltage (RGS= 20 kΩ) = 600 V;

–VGSS Gate-source voltage = ±30 V;

–ID = 10 A;

Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω (typ.);

High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.);

Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 600 V);

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA);

Se volete altre info vi invito a scaricare il datasheet cliccando QUI.

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